Что такое сегнетоэлектрическая память.

Сегнетоэлектрическая память имеет произвольный доступ к памяти (FRAM) и хранит данные на компьютере с помощью специальной «сегнетоэлектрической пленки»,которая имеет возможность быстро изменить полярность.Она способна сохранить данные даже тогда,когда  не включено питание,так что она классифицируются как не — энергонезависимая память.

Сегнетоэлектрическая память работает без батарей и потребляет мало энергии,когда информация пишется и переписывается чипом. В сегнетоэлектрической памяти,произвольный доступ к памяти, сочетается со способностями read-only memory.Она используется для смарт-карт и мобильных устройств,таких как сотовые телефоны, потому что потребляет мало энергии используемой чипами памяти. Сегнетоэлектрический чип памяти работает с помощью цирконата свинца titranate ,для изменения электрического поля вокруг него. Атомы в плёнке изменяют электрическую полярность к положительным или отрицательным, или наоборот.Это приводит к тому что,плёнка ведёт себя как выключатель,который совместим с двоичным кодом и может позволить записать данные,которые должны эффективно храниться. Полярность плёнки остается такой же,когда питание выключено, сохраняя информацию в целостности и позволяет чипу работать без особой энергии.Сегнетоэлектрические чипы памяти будут сохранять данные даже,если вдруг выключите питание.

По сравнению с dynamic random access memory (DRAM) и электрически стираемой программируемой постоянной памятью(EEPROM), сегнетоэлектрическая память потребляет в 3000 раз меньше энергии. Кроме того, согласно оценкам,последние планки памяти имеют в  10 000 раз больше времени,поскольку информация может быть записана, стёрта, и переписана много раз. Слой диэлектрика используемый в DRAM, но сегнетоэлектрический слой используется вместо него.Структура различных микросхем памяти — очень похожа.Также сегнетоэлектрическая память,известна как FeRAM, сегнетоэлектрическая память может записывать гораздо быстрее,чем другие виды памяти.Скорость записи,по оценкам экспертов,почти в 500 раз быстрее,чем устройства с ЭСППЗУ.Ученые используют электронные микроскопы, чтобы сделать изображение электрического поля на поверхности чипа памяти.Используя этот метод, они могут измерять материалы,которые позволяют поляризации контролировать в атомных масштабах, для создания чипов памяти, которые работают еще быстрее.Сегнетоэлектрическая память является более энергоэффективной,чем другие типы памяти компьютера.Она также безопасна в использовании и хранении данных потому,что важная информация не будет потеряна.Она подходит для использования в мобильных телефонах и в радиочастотной идентификации (RFID) систем. Чипы памяти также могут переписать данные еще много раз,так что память не изнашивается и нуждается в замене в течение короткого промежутка времени.