Samsung объявила о разработке новых микросхем памяти DDR4 DRAM третьего поколения

Samsung презентовала чипы DDR4 DRAM третьего поколения.

Известная корейская компания анонсировала разработку новейшего поколения чипов оперативной памяти. Главной особенностью Gen 3 стал переход на новый технологический процесс.

Модули DDR4 DRAM будут соответствовать 10-нм техпроцессу, что эквивалентно охвату реальных 1z, то есть от 12 до 15 нм. По заявлениям разработчиков, прирост производительности будет на уровне 20% по сравнению с предыдущим поколением. Кроме того, технология позволит расширить и максимальный объём памяти, которую можно будет разместить на плате.

Старт коммерческих продаж ожидается уже в следующем году. Основным потребителем технологии станут высокопроизводительные ПК, а также корпоративные серверные машины.